據國家發改委網站5月6日公布，為推動我國新型平板顯示產業快速發展，落實“寬帶中國”戰略，國家發展改革委、工業和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網絡設備研發及產業化專項。

支持的重點包括：

（一）新型平板顯示領域

1、高世代（6代及以上）薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研發和產業化

要求：驅動電壓≤7V，響應時間≤15ms，電阻率≥1×1013Ω？cm，單體純度>99.90%，粘度<20mPa?s；申報單位已實現年銷售量大于1噸。

2、有源有機發光顯示（AMOLED）用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發和產業化

要求：尺寸≥650mm×750mm，最小開口尺寸25μm，開口精度≤±3μm，開口間距≤50μm，定位精度≤±5μm；申報單位已實現年銷售量大于80套。

3、AMOLED用高性能、長壽命有機藍色電致發光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發和產業化

要求：達產后形成年產發光材料25公斤、其他材料500公斤的生產能力，其中：藍光材料色度坐標達到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs；電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時間法測試，遷移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化轉變溫度Tg≥130℃；驅動電壓低于4V情況下，對應器件特性指標LT95壽命要求紅、綠（>5000cd/m2）≥3000小時，藍（>500cd/ m2）≥1000小時；實驗片發光區面積3mm×3mm。

4、高分辨率面板驅動IC研發和產業化

要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上電視面板、300PPI（每英寸像素數目）及以上手機面板，并可根據面板廠商要求提供不同接口技術。

5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設備研發和產業化

要求：可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料，成膜非均勻度≤±3%，基板處理能力≥20片/小時。

6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設備研發和產業化

要求：靶材利用率>75%，薄膜非均勻性<5%，可制備ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、鋁、鉬等薄膜材料。

7、AMOLED蒸鍍設備研發及產業化

要求：最大

(關鍵字：國家發改委 寬帶中國)