近來，有多家半導體設備巨頭相繼公布最新財報數據，并對2024年的發展前景做了展望，其中“HBM”成了財報里的高頻詞匯，不僅被反復提及，還被各大廠商視為半導體設備增長的新動能。

HBM有何獨特之處?

HBM即高帶寬內存，屬于圖形DDR內存的一種，是將高性能DRAM裸片堆疊起來，并通過先進封裝與邏輯芯片相連接，通過增加帶寬，擴展內存容量，讓更大的模型，更多的參數留在離核心計算更近的地方，從而減少內存和存儲解決方案帶來的延遲。故而，HBM被認為是使數據中心具備AI承載能力的關鍵。

自2014年首款硅通孔HBM產品問世以來，HBM技術已經發展至第四代，最新的HBM3帶寬、堆疊高度、容量、I/O速率等較初代均有多倍提升。

由于HBM使用的芯片比標準DRAM大兩倍以上，意味著生產相同體積的芯片需要兩倍以上的容量，這也促使DRAM從傳統2D加速走向立體3D，從而突破了內存容量與帶寬瓶頸，成為新一代的DRAM技術路線之一。

市場三分天下，半導體設備廠商或受益HBM技術變革

目前，全球HBM市場呈現“三分天下”的局面，存儲芯片三巨頭SK海力士、三星和美光分別占到53%、38%和9%的市場份額(數據來源：TrendForce)，而SK海力士則是唯一具備量產新世代HBM3能力的供應商。

(關鍵字：半導體)